Transistor IGBT 50JR22

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426-50JR22

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Detalles

Especificaciones

Attribute	Value
Corriente Máxima Continua del Colector	50 A
Tensión Máxima Colector-Emisor	600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor	±25V
Disipación de Potencia Máxima	230 W
Tipo de Encapsulado	TO-3P
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Tipo de Canal	N
Conteo de Pines	3
Velocidad de Conmutación	1MHZ
Configuración de transistor	Simple
Longitud	15.5mm
Ancho	4.5mm
Altura	20mm
Dimensiones	15.5 x 4.5 x 20mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C