Transistor IGBT 50JR22
18.000,00 COP
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426-50JR22
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
| Attribute | Value |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±25V |
| Disipación de Potencia Máxima | 230 W |
| Tipo de Encapsulado | TO-3P |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 3 |
| Velocidad de Conmutación | 1MHZ |
| Configuración de transistor | Simple |
| Longitud | 15.5mm |
| Ancho | 4.5mm |
| Altura | 20mm |
| Dimensiones | 15.5 x 4.5 x 20mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| UbicacionBodega | 426 |
|---|
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