BD139 Transistor BJT NPN 80V

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600,00 COP

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410-7

BD139 Transistor BJT NPN 80V - 1.5A TO-126, semiconductor bipolar de juntura NPN. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es capaz de disipar hasta 12.5W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1.5A o que requieran tensiones de hasta 80VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

Detalles

Principales Características:

Tipo de Encapsulado: TO-126
Transistor complementario BD140
Transistor equivalente a BD135, BD137, NTE184, NTE375
Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
Voltaje Colector - Emisor (VCE): 80V
Voltaje Colector - Base (VCB): 80V
Voltaje Emisor - Base (VEB): 5V
Corriente Colector (IC): 1.5A
Potencia Máxima Disipada (PD): 12.5W
Ganancia Máxima (hFE): 250
Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 190 MHz

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UbicacionBodega	410

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