BD139 Transistor BJT NPN 80V
600,00 COP
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410-7
BD139 Transistor BJT NPN 80V - 1.5A TO-126, semiconductor bipolar de juntura NPN. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es capaz de disipar hasta 12.5W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1.5A o que requieran tensiones de hasta 80VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Principales Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-126
- Transistor complementario BD140
- Transistor equivalente a BD135, BD137, NTE184, NTE375
- Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo NPN
- Voltaje Colector - Emisor (VCE): 80V
- Voltaje Colector - Base (VCB): 80V
- Voltaje Emisor - Base (VEB): 5V
- Corriente Colector (IC): 1.5A
- Potencia Máxima Disipada (PD): 12.5W
- Ganancia Máxima (hFE): 250
- Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 190 MHz
| UbicacionBodega | 410 |
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