BD140 Transistor BJT PNP 80V

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600,00 COP

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410-8

BD140 Transistor BJT PNP -80V / -1.5A TO-126, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es capaz de disipar hasta 12.5W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1.5A o que requieran tensiones de hasta 80VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.

Detalles

Principales Características:

Tipo de Encapsulado: TO-126
Transistor complementario BD139
Transistor equivalente a BD136, BD138, NTE374
Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
Voltaje Colector - Emisor (VCE): -80V
Voltaje Colector - Base (VCB): -80V
Voltaje Emisor - Base (VEB): -5V
Corriente Colector (IC): -1.5A
Potencia Máxima Disipada (PD): 12.5W
Ganancia Máxima (hFE): 250
Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 190 MHz

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UbicacionBodega	410

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