BD140 Transistor BJT PNP 80V
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410-8
BD140 Transistor BJT PNP -80V / -1.5A TO-126, semiconductor bipolar de juntura PNP. Su estructura es en plástico con tres terminales. Este transistor es capaz de disipar hasta 12.5W, aun así, puede controlar dispositivos que consuman hasta 1.5A o que requieran tensiones de hasta 80VDC, siempre y cuando no se exija el dispositivo hasta o sobre su potencia de disipación máxima.
Principales Características:
- Tipo de Encapsulado: TO-126
- Transistor complementario BD139
- Transistor equivalente a BD136, BD138, NTE374
- Transistor de Unión Bipolar BJT Tipo PNP
- Voltaje Colector - Emisor (VCE): -80V
- Voltaje Colector - Base (VCB): -80V
- Voltaje Emisor - Base (VEB): -5V
- Corriente Colector (IC): -1.5A
- Potencia Máxima Disipada (PD): 12.5W
- Ganancia Máxima (hFE): 250
- Frecuencia Máxima de Trabajo (FT): 190 MHz
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