Mosfet Canal N IRFP064N
El IRFP064NPBF utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por el que son bien conocidos los MOSFET de potencia, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
Clasificación dinámica dv / dt
Totalmente clasificado como avalancha
Tecnología de proceso avanzada
Resistencia ultra baja
Conmutación rápida
Polaridad del transistor : Canal N
Voltaje de la fuente de drenaje Vds : 55 V
Id de corriente de drenaje continuo : 110A
En Resistance Rds (activado) : 0,008 ohmios
Estilo de la caja del transistor : TO-247AC
Montaje del transistor : A través del orificio
Rds (encendido) Voltaje de prueba Vgs : 10 V
Voltaje de umbral Vgs : 4V
Disipación de energía Pd : 150W
No. de pines : 3 pines
Temperatura de funcionamiento máxima : 175 ° C