Transistor Mosfet K31N60W
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426-K31N60W
K31N60W es un MOS de canal N
K31N60W es un MOS de canal N
1) Resistencia de encendido de fuente de drenaje bajo: RDs (ENCENDIDO) = 0,073 Ω (típ.)
por utilizado para Super Junction Estructura: DTMOS
2) Cambio de puerta fácil de controlar
3) Modo de mejora: Vth = 2,7 a 3,7 V (VDs = 10VID = 1,5 mA)
Aplicaciones:
Reguladores de voltaje de conmutación