Mosfet 100V 55A FQB55N10 D2PAK

Este MOSFET de canal N en modo de mejora es producido utilizando la tecnología propietaria de rayas planares y DMOS de Fairchild Semiconductor. Esta avanzada tecnología MOSFET ha sido especialmente diseñada para reducir la resistencia en estado de conducción y proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta resistencia a la energía de avalancha. Estos dispositivos son adecuados para fuentes de alimentación conmutadas, amplificadores de audio, control de motores de CC y aplicaciones de conmutación de potencia variable.