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Mosfet 500V 64A IXFX64N50P
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 64.0 Amps 500 V 0.09 Ohm Rds
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abricante
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IXYS |
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Tipo de transistor
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N-MOSFET |
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Polarización
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unipolar |
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Tensión drenaje-fuente
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500V |
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Corriente del drenaje
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64A |
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Poder disipado
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830W |
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Carcasa
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PLUS247™ |
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Resistencia en estado de transferencia
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85mΩ |
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Montaje
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THT |
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Carga de puerta
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150nC |
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