Transistor mosfet de potencia canal N 500V, 8A, de suicheo rápido. El IRF840 es un transistor MOSFET de canal N diseñado para conmutación de alta velocidad y manejo de cargas de alto voltaje. Gracias a su bajo consumo en estado de conducción y encapsulado TO-220, es ideal para aplicaciones electrónicas de potencia y control.
Características:
Continuous Drain Current : 8A
Drain-to-Source Breakdown Voltage: 500V
Temperatura de operación y de almacenamiento: -55°C ~ 150°C
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